丁洁

副教授，博导&硕导

办公电话：

电子邮件：dingjie2015@foxmail.com

jie.ding@bit.edu.cn

办公地点：4号教学楼247

所在学科

电子科学与技术，集成电路科学与工程

研究方向

新型半导体器件的建模与仿真，CMOS器件、闪存器件的随机涨落与可靠性研究，设计与工艺协同优化方法（DTCO），传感器器件的建模仿真与机理研究

个人简历

2021.12至今 澳门太阳游戏城app 预聘副教授

2017.12-2021.12 太原理工大学 副教授

2020.7-2021.12 太原理工大学 自动化系副主任

2019.7-2019.8 英国格拉斯哥大学 荣誉访问学者

2017.8-2017.9 英国格拉斯哥大学 荣誉访问学者

2016.1-2017.12 太原理工大学 第五层次人才引进（副教授待遇）

2011.10-2015.12 英国格拉斯哥大学 博士学位

代表性论著

目前已发表学术论文近30篇，其中一作/通讯作者论文10余篇，获批国家专利2项，“十二五”国家规划教材章节编写

[1] J. Ding#*, D. Reid, P. Asenov, C. Millar, and A. Asenov, “Influence of transistors with BTI-induced aging on SRAM write performance”, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 62, no. 10, pp. 3133–3138, 2015.

[2] J. Ding#* and A. Asenov, “TCAD simulations and accurate extraction of reliability-aware statistical compact models”, Journal of Computational Electronics, vol. 19, no. 1, pp. 359–366, 2020.

[3] J. Ding#* and A. Asenov, “Reliability Aware Statistical BSIM Compact Model Parameter Generation Methodology”, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.67, no.11, pp.4777-4783, 2020.

[4] O. Badami#, T. Sadi, F. Adamu-Lema, P. Lapham, D. Mu, V. Georgiev, J. Ding* and A. Asenov, “A Kinetic Monte Carlo Study of Retention Time in a POM Molecule-Based Flash Memory”, IEEE Transactions on Nano Technology, Vol. 19, 2020.

[5] J. Ding#* and A. Asenov, “The Analysis of SRAM Stability Under the Influence of Statistical Variability and BTI-induced Ageing”, Semiconductor Science and Technology, Vol. 36, No. 2, pp.025008, 2021.

[6]《计算机仿真技术与CAD——基于MATLAB的控制系统（第五版）》“十二五”国家级规划教材，章节作者

[7] 授权专利《一种基于图像处理的交通拥堵判断方法》[发明]，丁洁等

研究成果

主持课题

主持国家自然科学基金青年基金项目、山西省教育厅高等学校科技创新项目、澳门太阳游戏城app“青年教师学术启动计划”等

荣获奖项

山西省“三晋英才”青年优秀人才

学术兼职