莫非

                                   准聘教授，博士生导师

                                                  电子邮件：mofei@bit.edu.cn

                                                  办公地点：中关村校区4号楼450

所在学科

集成电路科学与工程

研究方向

先进CMOS工艺，新型存储器，三维结构集成电路、新型半导体器件及电路建模

个人简历

2024 年 04 月 – 至今，澳门太阳游戏城app，太阳成集团tyc4633，准聘教授

2021 年 04 月 – 2023年12月，铠侠株式会社，新型存储器研发部，研究员

2020 年 10 月 - 2021 年 03 月，东京大学, 生产技术研究所，特任研究员

2017 年 09 月 - 2020 年 09 月，东京大学，电气工程，博士

2015 年 04 月 - 2017 年 04 月，京都工艺纤维大学，电子学，硕士

2009 年 09 月 - 2013 年 07 月，电子科技大学，微电子学，学士

代表性论著

1. Fei Mo, et al., "Efficient Erase Operation by GIDL Current for 3D Structure FeFETs With Gate Stack Engineering and Compact Long-Term Retention Model", IEEE Journal of Electron Devices Society, 10, pp. 115-122 (2022), January 11, 2022.

2. Fei Mo, et al., "Critical Role of GIDL Current for Erase Operation in 3D Vertical FeFET and Compact Long-term FeFET Retention Model", VLSI symposium on Technology, T16-2, June 19 (2021).

3. Fei Mo, et al., "Low-Voltage Operating Ferroelectric FET with Ultrathin IGZO Channel for High-Density Memory Application", IEEE Journal of Electron Device Society, 8, pp. 717-723, July. 29th, 2020.

4. Fei Mo, et al., "Reliability characteristics of metal/ferroelectric-HfO2/IGZO/metal capacitor for non-volatile memory application", Applied Physics Express, 13, 074005, June 23 (2020).

5. Fei Mo, et al., "Experimental Demonstration of Ferroelectric HfO2 FET with Ultrathin-body IGZO for High-Density and Low-Power Memory Application", VLSI technology symposium 2019, pp. 42-43, June 11, 2019.

6. Fei Mo, et al., “Scalability Study on Ferroelectric-HfO2 Tunnel Junction Memory Based on Non-equilibrium Green Function Method with Self-consistent Potential”, International Conference on Electron Device Meeting (IEDM) 2018, San Francisco, CA, Dec. 5, 2018, pp.372-375.

研究成果

11年海外经历，其中具有三年海外产业界研发经验。主要从事以先进CMOS工艺为基础的新型存储器， 三维结构集成电路及其建模的相关研究工作。以独立第一作者身份在微电子领域顶级会议IEDM，VLSI上发表论文数篇。欢迎具有材料、电子、通信、计算机背景的同学的加入。

主持课题

主持国家级青年人才项目等课题

荣获奖项

2020.09 东京大学優秀博士論文賞

2020.12 The IEEE Electron Device Society 2019 Leo Esaki Award

2022.12 The IEEE Electron Device Society 2021 Paul Rappaport Award

2023.12 The IEEE Electron Device Society 2022 Leo Esaki Award

学术兼职

IEEE TED，IEEE EDL 等期刊审稿人